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第十章静电场中的导体和电介质

第十章静电场中的导体和电介质
第十章静电场中的导体和电介质

第十章 静电场中的导体和电介质

在上一章中,我们讨论了真空中的静电场。实际上,在静电场中总有导体或电介质存在,而且在静电的应用中也都要涉及导体和电介质的影响,因此,本章主要讨论静电场中的导体和电介质。本章所讨论的问题,不仅在理论上有重大意义,使我们对静电场的认识更加深入,而且在应用上也有重大作用。

§10-1 静电场中的导体

一、静电平衡条件

1、导体与电介质的区别:

(1)宏观上,它们的电导率数量级相差很大(相差10多个数量级,而不同导体间电导率数量级最多就相差几个数量级)。

(2)微观上导体内部存在大量的自由电子,在外电场下会发生定向移动,产生宏观上的电流而电介质内部的电子处于束缚状态,在外场下不会发生定向移动(电介质被击穿除外)。 2、导体的静电平衡条件

(1)导体内部任何一点处的电场强度为零;

(2)导体表面处的电场强度的方向,都与导体表面垂直.

导体处于静电平衡状态的必要条件:0=i E

(当导体处于静电平衡状态时,导体内部不再有自由电子

定向移动,导体内电荷宏观分布不再随时间变化,自然其内部电场(指外场与感应电荷产生的电场相叠加的总电场)必为0。

二、静电平衡时导体上的电荷分布

1、导体内部没有净电荷,电荷(包括感应电荷和导体本身带的电荷)只分布在导体表面。这个可以由高斯定理推得:

i

i s

q E ds ε?=

??

,S 是导体内“紧贴”表面的高斯面,所以0i q =。

2、导体是等势体,导体表面是等势面。显然()

()

0b a b i a V V E dl -=?=?

,a,b 为导体内或导体表面的

任意两点,只需将积分路径取在导体内部即可。 3、导体表面以处附近空间的场强为:0

?E n δ

ε=

,δ为邻近场点的导体表面面元处的电荷密度,?n 为该面元的处法向。简单的证明下:以导体表面面元为中截面作一穿过导体的高斯柱面,柱面的处底面过场点,下底面处于导体内部。由高斯定理可得:

1

2

i s s ds

E ds E ds δε?+?=

????,1s ,2s 分别为

高斯柱面的上、下底面。因为导体表面为等势面所以?E En =,所以1

s E ds Eds ?=??而i

E =0所以

0ds Eds δε=

,即0

?E n δ

ε=

(0δ>E 沿导体表面面元处法线方向,0δ

4、导体表面的静电压强:2

?p n δε= 证明:任取导体表面的一个电荷元ds δ,设除去该电荷元外其它场源(包括外场源、导体表面的其它电荷元)在该电荷元处产生的电场为E ';由高斯定理可算出电荷元ds δ在导体表面外邻近点的电场强度0?2E n δε''=

。而0?E E n δε'''+=,所以0

?2E n δε'=,电荷元ds δ受到的静电力0?2dq dF E dq n δε'==,所以20

?2dF p n ds δε==。 导体所受静电力由

s

p ds ???给出(s 是导体表面)

。 三、静电屏蔽

在静电场中,因导体的存在是某些特定的区域不受电场影响的现象称之为静电屏蔽。

1、 屏蔽外电场

空腔导体可以屏蔽外电场, 使空腔内物体不受外电场影响.这时,整个空腔导体和腔内的电势也必处处相等.

假设腔内有电场线,由(1)可知电场线不能贯穿于导体内表面之间,又由于腔内无电荷所以电场线不能以腔内某点为终点或起点,这样电场线只能在腔内形成闭合曲线这与静电场线的性质不符合,所以腔内必无电场,自然空腔成为等势区,与导体电势相等。 2、屏蔽腔内电场

接地空腔导体将使外部空间不受空腔内的电场影响.

E

+ + + + + + + + + +

+

§10-2 静电场中的电介质

一、电介质对电场的影响 相对电容率

实验测得两板间电介质中的电场强度E 仅是两板间为真空时电场强度0E

的r ε1倍(此处r ε是大于1的纯数),即

r

E E ε0

=

r ε叫做电介质的相对电容率。 二、电介质的极化

构成电介质的分子分为两种:(1)无极分子,电荷中心重合 (2)有极分子,电荷中心不重

所谓电介质的极化是指在外电场作用下电介质出现极化电荷的现象。对于各向同性的均匀电介质而言,极化时其体内无未被抵消的净极化电荷,极化电荷只分布在它的表面上。对于各向异性的非均匀电介质而言,一般说来,极化时其体内有未被抵消的极化电荷,其表面上也分布有极化电荷。 1、电介质极化的微观机制

按电介质分子的电结构分类:无极分子电介质和有极分子电介质两类,它们极化的微观机制是: 无极分子电介质:在无外场作用时,分子的正、负电荷的中心是重合的。在外电场作用下,分子的正、负电荷中心错开,形成电偶极子,这种分子的极化机制是位移极化。

有极分子电介质:在无外场作用时,分子的正、负电荷的中心亦不重合,即分子具有固有电矩,但由于分子的无规则热运动,分子的固有电矩取向杂乱无章,在介质内的任一体积中所有分子的固有电矩的矢量和为零。在外电场作用下,有极分子受到力矩P →

分子×E →

。作用使分子电矩P →

分子方向转向外电场E →

0方向。外电场愈强,分子电矩转向排列愈整齐。这种极化机制是取向极化。

无论是无极分子电介质或有极分子电介质极化后,极化电荷在介质内所产生的场强E '总是削弱介质内的场强。 2、极化强度 (1) 极化强度的定义

在电介质中,单位体积内分子电矩的矢量和称为极化强度,即

V P P e e ?∑=/分子

极化强度是在宏观上用来描述电介质极化状态的物理量,亦描述电介质的极化程度(强度)和极化方向。在静电场中,一般说来,P →

e 是空间坐标的函数。如果在电介质内各点的P →

e 大小相等和方向相同,亦P →

e =常矢,则电介质的极化是均匀的,否则极化是非均匀的。 (2) 极化强度与极化电荷的关系

en e e P P n P ==?='θσcos

上式表明:介质表面某处的极化电荷面密度σ'等于该处极化强度P →

e 沿介质表面外法线方向上的分量en P 。当P →

e 与介质表面外法线方向的单位矢量n →

的夹角θ为锐角的地方,σ' >0,为正的极化电荷;当θ为钝角的地方,σ'<0,为负的极化电荷。

极化强度的通量公式:

??∑'-=?S

i

i e

q d

即介质内通过任一闭合曲面的极化强度的通量等于该闭合曲面所包围的极化电荷的代数和的负值。上式表明,极化强度的源是极化电荷,因电矩的方向总是从负电荷指向正电荷,所以P →

e 的源头必须是负极化电荷,它的尾闾必是正极化电荷。

在各向同性的均匀电介质中,上式变为:

??=?S

s d P

e

表示极化电荷只可能出现在各向同性的均匀电质表面。 (3) 电介质的极化规律

对于各向同性的电介质有:E x P e 0ε= 式中x 是电介质的极化率,由介质的性质决定。 应指出:

上式在外电场E →

0较小时,只对各向同性的电介质成立。所谓各向同性的电介质是电介质的电性质不随量度的方向而变化。在这里是指电介质的x (或ε)值不随量度的方向而变化。也就是说,当外电场沿不同方向作用时,电介质的极化情况相同,亦极化程度相同,极化方向(P →

e 的方向)均沿外电场方向。上式对各向异性的电介质不成立,P →

e 既不与E →

成正比,且P →

e 的方向也不与E →的方向相同。在普通物理学中,主要讨论各向同性的均匀电介质。另外,上式中的场强必须是所求极化强度处的总场强。

二、电介质中的电场强度 极化电荷与自由电荷的关系

1、电介质中的电场强度

由场强的迭加原理:介质内任一点的场强E →

是外电场在该点的场强E →

0(由自由电荷产生)和极化电荷在该点产生的场强E'→

的矢量和。即:

E →

=E →

0+E'→

2、极化电荷:

介质中,取向与外电场一致的分子电偶极子穿出面s 的电荷总和就是面S 上的极化电荷。

3、极化强度与极化电荷分布的关系:

设介质里的任一面元ds ,设分子的电偶极距p ql =,以ds 为底,l 为斜高作一圆柱体,圆柱体体积记为dV ,设dV 内取向与外电场一致的分子电偶矩数量为N ,显然在圆柱体内的分子电偶矩都

穿出面元ds 又Nql ds

P ds Nq dV

??=

=,所以Nq 就是穿过面元ds 的极化电量dq '。在介质里任取一闭合曲面S ,则穿出S 的极化电量???='s

s P q

d 0

,由电荷守恒(原来电介质是呈电中性)可知面内有等值异号的极化电荷???-='s

i s P q

d 。

§10-3 电位移 有电介质时的高斯定理

如图所示,取一闭合的正柱面作为高斯面,高斯面的两端面与极板平行,其中一个端面在电介质内,端面的面积为S 。设极板上的自由电荷面密度为0σ,电介质表面上的极化电荷为σ'。对此高斯面来说,由高斯定理,有

)(1

d 00

Q Q S E S

'-=??ε

将0r

r 1

Q Q εε-=

'代入上式,得 r

00

d εεQ S E S

=

?? 令E E D

εεε==r 0

其中r 0εεε=为电介质的电容率。

那么式r

00

d εεQ S E S

=?? 可写成

0d Q s D s

?=?

式中D

称作电位移,而??s

s D d 则是通过任意闭合曲面S 的电位移通量。电位移的单位为

2-m C ?。

因此,有电介质时的高斯定理可叙述为:在静电场中,通过任意闭合曲面的电位移通量等于该闭合曲面内所包围的自由电荷的代数和,其数学表达式为

∑?=?i

i S

Q S D 0d

应指出:

(1) 电介质中的高斯定理是电磁学中的基本定理之一。它对于任何电介质,对于无论是静电场,还是变化的电场亦适用,是麦克斯韦方程组的四个方程之一。

(2) 在有介质时的高斯定理中, 并不表示电位移 D →

本身与极化电荷无关。 事实上,

D→=ε0E→+P→e,而E→和P→e均与极化电荷有关,因此,应与极化电荷有关。就是在各向同性的电介质中,D→=εE→中的因子ε和E→(是由自由电荷和极化电荷共同决定的)已把极化电荷的影响考虑进去了。

(3) 在利用介质中的高斯定理求电介质中的场强时,可使其计算大为简化。但只有自由电荷分布具有一定的对称性,且各向同性的均匀电介质充满电场所在空间,或各向同性的均匀介质表面是等势面时,则无需知道极化电荷的多少,方可用高斯定理求出D→,然后利用D→=εE→求出场强E。其原因在于只有电介质各向同性的,在电介质中才有D→=εE→的关系;只有自由电荷分布具有一定的对称性,才有E→0的分布具有一定的对称性;只有均匀电介质充满电场所在的空间或介质的表面是等势面时,才有极化电荷分布具有一定的对称性,即E'→分布也具有一定的对称性。从而才能保证E→=E→0+E'→和D→=εE→都具有一定对称性。这样方有可能使D从积分号内提出来,进而才能利用高斯定理和D→=εE→求场强E→。

§10-4 电容

电容是表征导体由于带电而引起本身电势改变的物理量。导体可容纳电荷,利用导体的这一性质制成的电容器是电子技术中最基本的元件之一。本节主要介绍几种电容器及其计算。

一、电容

1、孤立导体的电容

在真空中设有一半径为R 的孤立的球形导体,它的电量为q ,那么它的电势为(取无限远处电势=0)

R

q U 04πε=

对于给定的导体球,R 一定,当q 增大时,U 也变大,q 变小时,U 则变小,而比值R U q

04πε=却不变,此结论虽然是对球形孤立导体而言的,但对一定形状的其它导体也是如此,比值U

q

仅与导

体大小和形状等有关,称为孤立导体电容,用C 表示,记作:

U

q C =

对于孤立导体球,其电容为R R

q q U

q C 0044πεπε===

。对给定的孤立导体,其电容是一个恒

量,只与导体的形状和尺寸有关,而与q 、U 无关,即与电量的存在与否无关。

在SI 制中,电容的单位为:法拉,符号为F ,1F=1C/1V 。孤立导体的电容都很小,如把地球

看作是一个导体球,它的电容可以计算出来,约为7×10-4

F ,所以在实际应用中F 太大,常用F μ或

pF ,他们之间换算关系为

pF F F 12610101==μ。

2、电容器及其电容

实际上,绝对孤立的导体是不存在的,一个带电导体附近总会有其它导体,当有其它导体存在时,则必然因静电感应而改变原来的电场分布,当然会影响导体电容。为了使导体的电容不受其它导体影响,可以设计一个导体组合,形成一种器件,如在金属壳B 中放置另一导体A 构成一导体组,根据静电屏蔽原理,那么,分布在壳外的电荷不会影响壳内空间的状态。所以,我们将两个带有等值而异号电荷的导体所组成的带电系统称为电容器。电容器可以储存电荷,以后将看到电容器也可以储存能量。下面我们具体讨论电容器的电容。

如图所示,两个导体A 、B 放在真空中,它们所带的电量分别为+q ,-q ,如果A 、B 电势分别为A U 、B U ,那么

A 、

B 电势差为B A U U -,电容器的电容定义为: 电容器的概念

第八章 静电场中的导体和电介质

103 第八章 静电场中的导体和电介质 一、基本要求 1.理解导体的静电平衡,能分析简单问题中导体静电平衡时的电荷分布、场强分布和电势分布的特点。 2.了解两种电介质极化的微观机制,了解各向同性电介质中的电位移和场强的关系,了解各向同性电介质中的高斯定理。 3.理解电容的概念,能计算简单几何形状电容器的电容。 4.了解电场能量、电场能量密度的概念。 二、本章要点 1.导体静电平衡 导体内部场强等于零,导体表面场强与表面垂直;导体是等势体,导体表面是等势面。 在静电平衡时,导体所带的电荷只能分布在导体的表面上,导体内没有净电荷。 2.电位移矢量 在均匀各向同性介质中 E E D r εεε0== 介质中的高斯定理 ∑??=?i i s Q s d D 自 3.电容器的电容 U Q C ?= 电容器的能量 C Q W 2 21= 4.电场的能量 电场能量密度 D E w ?= 2 1 电场能量 ? = V wdV W 三、例题 8-1 下列叙述正确的有(B) (A)若闭合曲面内的电荷代数和为零,则曲面上任一点场强一定为零。 (B)若闭合曲面上任一点场强为零,则曲面内的电荷代数和一定为零。

104 (C)若闭合曲面内的点电荷的位置变化,则曲面上任一点的场强一定会改变。 (D)若闭合曲面上任一点的场强改变,则曲面内的点电荷的位置一定有改变。 (E)若闭合曲面内任一点场强不为零,则闭合曲面内一定有电荷。 解:选(B )。由高斯定理??∑=?0/εi i q s d E ,由 ∑=?=00φq ,但场强则 不一定为零,如上题。 (C )不一定,受静电屏蔽的导体内部电荷的变动不影响外部场强。 (D )曲面上场强由空间所有电荷产生,改变原因也可能在外部。 (E )只要通过闭曲面电通量为0,面内就可能无电荷。 8-2 如图所示,一半径为R的导体薄球壳,带电量为-Q1,在球壳的正上方距球心O距离为3R的B点放置一点电荷,带电量为+Q2。令∞处电势为零,则薄球壳上电荷-Q1在球心处产生的电势等于___________,+Q2在球心处产生的电势等于__________,由叠加原理可得球心处的电势U0等于_____________;球壳上最高点A处的电势为_______________。 解:由电势叠加原理可得,球壳上电荷-Q1在O 点的电势为 R Q U 0114πε- = 点电荷Q2在球心的电势为 R Q R Q U 02 0221234πεπε= ?= 所以,O 点的总电势为 R Q Q U U U 01 2210123ε-= += 由于整个导体球壳为等势体,则 0U U A =R Q Q 01 2123ε-= 8-3 两带电金属球,一个是半径为2R的中空球,一个是半径为R的实心球,两球心间距离r(>>R),因而可以认为两球所带电荷都是均匀分布的,空心球电势为U1,实心球电势为U2,则空心球所带电量Q1=___________,实心球所带电Q2=___________。若用导线将它们连接起来,则空心球所带电量为______________,两球电势为______________。 解:连接前,空心球电势R Q U 2401 1πε= ,所以带电量为

最新第七章静电场中的导体

第七章 静电场中的导体、电介质 一、选择题: 1. 已知厚度为d 的无限大带电导体平板,两表面上电荷均匀分布,电荷面密度均为σ,如 图所示,则板外两侧的电场强度的大小为:[ ] (A )E=02εσ (B )E=02εσ (C )E=0εσ (D )E=02d εσ 2. 两个同心薄金属体,半径分别为R 1和R 2(R 2>R 1),若分别带上电量为q 1和q 2的电荷,则 两者的电势分别为U 1和U 2(选无穷远处为电势零点),现用导线将两球壳相连接,则它们的 电势为[ ] (A )U 1 (B )U 2 (C )U 1+U 2 (D )2 1(U 1+U 2) 3.如图所示,一封闭的导体壳A 内有两个导体B 和C ,A 、C 不带电, B 带正电,则A 、B 、 C 三导体的电势U A 、U B 、U C 的大小关系是 (A )U A =U B =U C (B )U B > U A =U C (C )U B >U C >U A (D )U B >U A >U C 4.一厚度为d 的“无限大”均匀带电导体板,电荷面密度为σ,则板的两侧离板的距离均为 h 的两点a 、b 之间的电势差为: [ ] (A )零 (B )02εσ (C )0εσh (D )02εσh 5. 当一个带电导体达到静电平衡时: [ ] (A) 表面上电荷密度转大处电势较高 (B) 表面曲率较大处电势。 (C)导体内部的电势比导体表面的电势高。 (D)导体内任一点与其表面上任一点的电势差等于零。 6. 如图示为一均匀带电球体,总电量为+Q ,其外部同心地罩一内、 外半径分别为r 1、r 2的金属球壳、设无穷远处为电势零点,则在球壳内半径为r 的P 点处的场强和电势为: [ ]

10静电场中的导体和电介质习题解答

第十章 静电场中的导体和电介质 一 选择题 1. 半径为R 的导体球原不带电,今在距球心为a 处放一点电荷q ( a >R )。设无限远处的电势为零,则导体球的电势为 ( ) 2 02 00π4 . D ) (π4 . C π4 . B π4 .A R) (a qa R a q a qR a q o --εεεε 解:导体球处于静电平衡,球心处的电势即为导体球电势,感应电荷q '±分布在导体球表面上,且0)(='-+'+q q ,它们在球心处的电势 ??'±'±='= ' = 'q q q R R q V 0d π41π4d 00 εε 点电荷q 在球心处的电势为 a q V 0π4ε= 据电势叠加原理,球心处的电势a q V V V 00π4ε= '+=。 所以选(A ) 2. 已知厚度为d 的无限大带电导体平板,两表面上电荷均匀分布,电荷面密度均为σ ,如图所示,则板外两侧的电场强度的大小为 ( ) 2 . D . C 2 . B 2 .A εd E= εE= E E σσεσ εσ= = 解:在导体平板两表面外侧取两对称平面,做侧面垂直平板的高斯面,根据高斯定理,考虑到两对称平面电场强度相等,且高斯面内电荷为S 2σ,可得 0 εσ= E 。 所以选(C ) 3. 如图,一个未带电的空腔导体球壳,内半径为R ,在腔内离球心的距离为 d 处(d

7《学习指南 第七章 静电场中的导体和电介质

第7章 静电场中的导体和电介质 7.1 要求 1、了解导体静电平衡条件和电介质的极化,了解电容器; 2、掌握计算电容器容量的方法; 3、能熟练应用电介质中的高斯定理以及安培环流定理。 7.2 内容提要 1、静电感应现象 当一个不带电的导体放在电场强度0E 的静电场中,在最初短暂的时间内 (约s 1410-数量级)导体内会有电场存在,驱使电子作定向运动,必然引起导 体内部正、负电荷的重新分布,最后达到静电平衡。在导体的两端出现等量、 异号的电荷,这种现象称为静电感应现象。 2、导体静电平衡状态 导体静电平衡时,其内部场强处处为零,导体内部和表面都没有电荷的定 向移动,导体所处的这种状态称为导体静电平衡状态。 3、导体静电平衡条件 导体内任一点的电场强度都等于零。在带电导体上,电荷只分布在导体的 表面上,导体内部处处都没有未被抵消的净电荷。 推论一:导体是等势体,其表面是等势面 0,=?=-=?b a b a b a d U U U U ; 推论二:导体表面的场强都垂直导体表面(力线正交等势面)。 4、导体的面电荷密度与场强的关系 导体表面附近的场强在数值上等于该处面电荷σ的0/1ε,方向为导体表面 的法线方向,即 n E 0 εσ=。 导体表面各处的电荷分布与其曲率有关,凸出而尖端的地方曲率较大,电 荷面密度较大;平坦的地方曲率较小,电荷面密度较小,凹陷的地方曲率为负, 电荷面密度更小。在导体尖端的附近电场特别强,会发生尖端放电。 5、电容 (1)、孤立导体的电容 附近没有其他导体和带电体的孤立导体,它所带的电量Q 与其电势U 成正 比,即 U Q C =,式中比例系数C 称为孤立导体的电容,它与导体的形状和大小有关,而与Q 和U 无关。电容反映了导体储存电荷和电能的能力,其 单位是F (法拉),在实际中常用F μ和pF 。 (2)、平板电容器的电容 d S C S Q Ed U E 00,,,εσεσ==== (3)、圆柱形电容器的电容

第十章 静电场中的导体与电介质(答案)讲解

姓名 __________ 学号 ____________ 《大学物理Ⅰ》答题纸第十章 一、选择题 [ B ]1(基础训练2 )一“无限大”均匀带电平面A,其附近放一+σ2 与它平行的有一定厚度的“无限大”平面导体板B,如图所示.已知A上的 电荷面密度为+σ ,则在导体板B的两个表面1和2上的感生电荷面密度为:(A) σ 1 = - σ,σ 2 = + σ.(B) σ 1 = - (C) σ 1 = -11σ,σ 2 =+σ.22A11σ,σ 1 = -σ.(D) σ 1 = - σ,σ 2 = 0. 22 【提示】“无限大”平面导体板B是电中性的:σ 1S+σ 2S=0, 静电平衡时平面导体板B内部的场强为零,由场强叠加原理得: σσσ+1-2=0 2ε02ε02ε0 σσ 联立解得:σ1=-σ2= 22 [ C ]2(基础训练4)、三个半径相同的金属小球,其中甲、乙两球带有等量同号电 荷,丙球不带电。已知甲、乙两球间距离远大于本身直径,它们之间的静电力为F;现用带 绝缘柄的丙球先与甲球接触,再与乙球接触,然后移去,则此后甲、乙两球间的静电力为: (A) 3F / 4. (B) F / 2. (C) 3F / 8. (D) F / 4.

【提示】设原来甲乙两球各自所带的电量为q,则F=q2 4πε0r2; ?q??3q???3q3q24=F 丙球与它们接触后,甲带电,乙带电,两球间的静电力为:F'=244πε0r28 [ C ]3(基础训练6)半径为R的金属球与地连接。在与球心O相 距d =2R处有一电荷为q的点电荷。如图所示,设地的电势为零,则球上的感 生电荷q'为: (A) 0. (B) qq. (C) -. (D) -q. 22【提示】静电平衡时金属球是等势体。金属球接地,球心电势为零。球心电势可用电势叠加 法求得: q'dq'q1qq'qq+=0=-∴q'=-,,,其中d = 2R, dq'=- ??4πεR4πεdRd24πε0R04πε0d000 q' [ C ]4(基础训练8)两只电容器,C1 = 8 μF,C2 = 2 μF,分 别把它们充电到 1000 V,然后将它们反接(如图所示),此时两极板间的电 势差为: 姓名 __________ 学号 ____________ 《大学物理Ⅰ》答题纸第十章 (A) 0 V . (B) 200 V. (C) 600 V. (D) 1000 V 【提示】反接,正负电荷抵消后的净电量为 Q=Q1-Q2=CU-C2U=(8-2)?10-6?1000=6?10-6C 1 这些电荷重新分布,最后两个电容器的电压相等,相当于并联。并联的等效电容为C'=C1+C2=10-5F,电势差为U'=Q=600(V)。 C' [ B ]5(自测提高4)一导体球外充满相对介电常量为εr的均匀电介质,若测得导体表面附近场强为E,则导体球面上的自由电荷面密度σ0为 (A) ε0E.(B) ε0εrE .(C) εrE.(D) (ε0εr-ε0)E 【提示】导体外表面附近场强E= σ0σ0,∴σ0=ε0εrE. =εε0εr [ D ]6(自测提高5)一空心导体球壳,其内、外半径分别为R1和R2,带电荷q,如图所示。当球壳中心处再放一电荷为q的点电荷时,则导体球壳 的电势(设无穷远处为电势零点)为 (A) q 4πε0R14πε0R2

大学物理课后答案第七章静电场中的导体和电介质

大学物理课后答案第 七章静电场中的导 体和电介质 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN

2 习题7 7-2 三个平行金属板A ,B 和C 的面积都是200cm 2,A 和B 相距4.0mm ,A 与C 相距2.0 mm .B ,C 都接地,如题7-2图所示.如果使A 板带正电3.0×10-7C ,略去边缘效应,问B 板和C 板上的感应电荷各是多少以地的电势为零,则A 板的电势是多少 解: 如题7-2图示,令A 板左侧面电荷面密度为1σ,右侧面电荷面密度为 2σ 题7-2图 (1)∵ AB AC U U =,即 ∴ AB AB AC AC E E d d = ∴ 2d d 21===AC AB AB AC E E σσ 且 1σ+2σS q A = 得 ,32S q A = σ S q A 321=σ 而 711023 2 -?-=- =-=A C q S q σC C 10172-?-=-=S q B σ (2) 30 1 103.2d d ?== =AC AC AC A E U εσV

3 7-3 两个半径分别为1R 和2R (1R <2R )的同心薄金属球壳,现给内球壳带电+q ,试计算: (1)外球壳上的电荷分布及电势大小; (2)先把外球壳接地,然后断开接地线重新绝缘,此时外球壳的电荷分布及电势; *(3)再使内球壳接地,此时内球壳上的电荷以及外球壳上的电势的改变量. 解: (1)内球带电q +;球壳内表面带电则为q -,外表面带电为q +,且均匀分布,其电势 题7-3图 ? ? ∞ ∞==?=2 2 020π4π4d d R R R q r r q r E U εε (2)外壳接地时,外表面电荷q +入地,外表面不带电,内表面电荷仍为q -.所以球壳电势由内球q +与内表面q -产生: 0π4π42 02 0=- = R q R q U εε (3)设此时内球壳带电量为q ';则外壳内表面带电量为q '-,外壳外表面带电量为+-q q ' (电荷守恒),此时内球壳电势为零,且 0π4' π4'π4'2 02 01 0=+-+ - = R q q R q R q U A εεε

大学物理第7章静电场中的导体和电介质课后习题及答案

大学物理第7章静电 场中的导体和电介质课后习题及答案 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN

第7章 静电场中的导体和电介质 习题及答案 1. 半径分别为R 和r 的两个导体球,相距甚远。用细导线连接两球并使它带电,电荷面密度分别为1σ和2σ。忽略两个导体球的静电相互作用和细导线上电荷对导体球 上电荷分布的影响。试证明:R r =21σσ 。 证明:因为两球相距甚远,半径为R 的导体球在半径为r 的导体球上产生的电势忽略不计,半径为r 的导体球在半径为R 的导体球上产生的电势忽略不计,所以 半径为R 的导体球的电势为 R R V 0211π4επσ= 14εσR = 半径为r 的导体球的电势为 r r V 0222π4επσ= 24εσr = 用细导线连接两球,有21V V =,所以 R r =21σσ 2. 证明:对于两个无限大的平行平面带电导体板来说,(1)相向的两面上,电荷的面密度总是大小相等而符号相反;(2)相背的两面上,电荷的面密度总是大小相等而符号相同。 证明: 如图所示,设两导体A 、B 的四个平面均匀带电的电荷面密度依次为1σ,2σ,3σ,4σ (1)取与平面垂直且底面分别在A 、B 内部的闭合圆柱面为高斯面,由高斯定理得 S S d E S ?+= =??)(1 0320 σσε 故 +2σ03=σ 上式说明相向两面上电荷面密度大小相等、符号相反。 (2)在A 内部任取一点P ,则其场强为零,并且它是由四个均匀带电平面产生的场强叠加而成的,即 022220 4 030201=---εσεσεσεσ 又 +2σ03=σ 故 1σ4σ= 3. 半径为R 的金属球离地面很远,并用导线与地相联,在与球心相距为R d 3=处有一点电荷+q ,试求:金属球上的感应电荷的电量。 解:如图所示,设金属球表面感应电荷为q ',金属球接地时电势0=V 由电势叠加原理,球心电势为 = O V R q dq R 3π4π41 00εε+ ? 03π4π400=+'=R q R q εε

第十章 静电场中的导体和电介质

l. 一带电量为Q、半径为R1的金属球, 放在内、外半径分别为R2和R3的金属球壳内, 若用导线把球与球壳连接后,则金属球的电势. ( ) 2.A、B、C为带电导体表面上的三点, 如图所示, 静电平衡时, 比较三点的面电荷密度、电势及表面附近的场强,下述说法中错误的是:( ) 第十章静电场中的导体与电介质课后练习十九

3. 如图所示,两同心导体球壳,初始时刻给内球壳所带电量为+q,给外球壳所带电量为-2q。那么静电平衡时,外球壳的内表面所带电荷量为;外表面所带电荷量为。

4. 一真空中平板电容器,极板面积为S,极板间距为d,则电容C0 = ;当充入εr 的电介质,则电容 C = ;C与C0之比为。 5. 半径分别为R1和R2(R2>R1)的两个同心导体薄球壳, 分别带电量Q1和Q2, 今将内球壳用细导线与远处的半径为r 的导体球相连, 导体球原来不带电, 试求相连后导体球所带电量q.

6. A、B、C 三个平行板面积均为200cm, A、B之间相距4mm,A、C 之间相距2mm,B、C 两板接地,若使A板带正电3.0×10-7C, 求(1) B、C 两板上的感应负电荷各为多少? (2) A板电势为多大?

第十章静电场中的导体与电介质课后练习十九 1. 一空气平行板电容器充电后与电源断开, 然后在两极板间充满各向同性均匀电介质, 则场强的大小E、电容C、电势差U、电场能量We 四个量各自与充入介质前相比较. 增大(用↑表示)或减小(用↓表示)的情形为( ) (A) E↓C ↑U ↑We ↑ (B) E↑C↓U ↓We ↑ (C) E↓C ↑U ↑We ↓ (D) E↓C↑U ↓We ↓ 2. 平行板电容器极板面积为S, 间距为d, 充电到电压U0 , 然后断开电源, 把相对电容率为εr的均匀电介质充满电容器的一半空间, 如图. 则两极板间电压变为

ch7-静电场中的导体和电介质-习题及答案

第7章 静电场中的导体和电介质 习题及答案 1. 半径分别为R 和r 的两个导体球,相距甚远。用细导线连接两球并使它带电,电荷面密度分别为1σ和2σ。忽略两个导体球的静电相互作用和细导线上电荷对导体球上电荷分布的影响。试证明: R r =21σσ 。 证明:因为两球相距甚远,半径为R 的导体球在半径为r 的导体球上产生的电势忽略不计,半径为r 的导体球在半径为R 的导体球上产生的电势忽略不计,所以 半径为R 的导体球的电势为 R R V 0211π4επσ= 14εσR = 半径为r 的导体球的电势为 r r V 0222π4επσ= 24εσr = 用细导线连接两球,有21V V =,所以 R r =21σσ 2. 证明:对于两个无限大的平行平面带电导体板来说,(1)相向的两面上,电荷的面密度总是大小相等而符号相反;(2)相背的两面上,电荷的面密度总是大小相等而符号相同。 证明: 如图所示,设两导体A 、B 的四个平面均匀带电的电荷面密度依次为1σ,2σ,3σ,4σ (1)取与平面垂直且底面分别在A 、B 部的闭合圆柱面为高斯面,由高斯定理得 S S d E S ?+==??)(1 0320 σσε 故 +2σ03=σ 上式说明相向两面上电荷面密度大小相等、符号相反。 (2)在A 部任取一点P ,则其场强为零,并且它是由四个均匀带电平面产生的场强叠加而成的,即 022220 4 030201=---εσεσεσεσ

又 +2σ03=σ 故 1σ4σ= 3. 半径为R 的金属球离地面很远,并用导线与地相联,在与球心相距为R d 3=处有一点电荷+q ,试求:金属球上的感应电荷的电量。 解:如图所示,设金属球表面感应电荷为q ',金属球接地时电势0=V 由电势叠加原理,球心电势为 = O V R q dq R 3π4π4100εε+ ? 03π4π400=+'= R q R q εε 故 - ='q 3 q 4.半径为1R 的导体球,带有电量q ,球外有外半径分别为2R 、3R 的同心导体球壳,球壳带有电量Q 。 (1)求导体球和球壳的电势1V 和2V ; (2)如果将球壳接地,求1V 和2V ; (3)若导体球接地(设球壳离地面很远),求1V 和2V 。 解:(1)应用均匀带电球面产生的电势公式和电势叠加原理求解。 半径为R 、带电量为q 的均匀带电球面产生的电势分布为 ???????>≤=)( 4)( 400 R r r q R r R q V πεπε 导体球外表面均匀带电q ;导体球壳表面均匀带电q -,外表面均匀带电Q q +,由电势叠加原理知,空间任一点的电势等于导体球外表面、导体球壳表面和外表面电荷在该点产生的电势的代数和。 导体球是等势体,其上任一点电势为 )( 413 210 1R Q q R q R q V ++-= πε 球壳是等势体,其上任一点电势为

大学物理同步训练第2版第七章静电场中的导体详解

第七章 静电场中的导体和电介质 一、选择题 1. (★★)一个不带电的空腔导体球壳,内半径为R 。在腔内离球心的 距离为a 处(a

第十章 静电场中的导体和电介质习题解答

10-1 如题图所示,一内半径为a 、外半径为b 的金属球壳,带有电荷Q ,在球壳空腔内距离球心r 处有一点电荷q ,设无限远处为电势零点。试求: (1) 球壳内外表面上的电荷; (2) 球心O 点处,由球壳内表面上电荷产生的电势; (3) 球心O 点处的总电势。 习题10-1图 解:(1) 由静电感应,金属球壳的内表面上有感生电荷-q ,外表面上带电荷q +Q 。 (2) 不论球壳内表面上的感生电荷是如何分布的,因为任一电荷元离O 点的 距离都是a ,所以由这些电荷在O 点产生的电势为 0d 4q q U a πε-= ?a q 04επ-= (3) 球心O 点处的总电势为分布在球壳内外表面上的电荷和点电荷q 在O 点产生的电势的代数和 q Q q q O U U U U +-++= 04q r πε= 04q a πε- 04Q q b πε++ 01114()q r a b πε=-+04Q b πε+ 10-2 有一"无限大"的接地导体板 ,在距离板面b 处有一电荷为q 的点电荷,如题图(a)所示。试求: (1) 导体板面上各点的感生电荷面密度分布(参考题图(b)); (2) 面上感生电荷的总电荷(参考题图(c))。 习题10-2图 解:(1) 选点电荷所在点到平面的垂足O 为原点,取平面上任意点P ,P 点距离原点为r ,设P 点的感生电荷面密度为 . 在P 点左边邻近处(导体内)场强为零,其法向分量也是零,按场强叠加原理, ()22 0cos 024P q E r b θσ επε⊥= +=+ ∴ () 2 /32 22/b r qb +-=πσ (2) 以O 点为圆心,r 为半径,d r 为宽度取一小圆环面,其上电荷为 ( ) 32 2 2d d d //Q S qbr r r b σ==-+ q Q a b O r

10第十章 静电场中的导体与电介质作业答案

一、选择题 [ B ]1(基础训练2) 一“无限大”均匀带电平面A ,其附近放一与它 平行的有一定厚度的“无限大”平面导体板B ,如图所示.已知A 上的电荷 面密度为+σ ,则在导体板B 的两个表面 1和2上的感生电荷面密度为: (A) σ 1 = - σ, σ 2 = + σ. (B) σ 1 = σ21- , σ 2 =σ2 1 +. (C) σ 1 = σ21- , σ 1 = σ2 1 -. (D) σ 1 = - σ, σ 2 = 0. 【提示】“无限大”平面导体板B 是电中性的:σ 1S+σ 2S=0, 静电平衡时平面导体板B 内部的场强为零,由场强叠加原理得: 02220 2010=-+εσεσεσ 联立解得: 122 2 σ σ σσ=- = [ C ]2(基础训练6)半径为R 的金属球与地连接。在与球心O 相距d =2R 处有一电荷为q 的点电荷。如图所示,设地的电势为零,则球上的感生电荷q ' 为: (A) 0. (B) 2q . (C) -2 q . (D) -q . 【提示】静电平衡时金属球是等势体。金属球接地,球心电势为零。球心电 势可用电势叠加法求得: 000'044q dq q R d πεπε' +=?, 00' 01'44q q dq R d πεπε=-?, 'q q R d =-,其中d = 2R ,'2q q ∴=- [ C ]3(基础训练8)两只电容器,C 1 = 8 μF ,C 2 = 2 μF ,分别把 它们充电到 1000 V ,然后将它们反接(如图所示),此时两极板间的电势差 为: (A) 0 V . (B) 200 V . (C) 600 V . (D) 1000 V 【提示】反接,正负电荷抵消后的净电量为 661212(82)101000610Q Q Q C U C U C --=-=-=-??=? 这些电荷重新分布,最后两个电容器的电压相等,相当于并联。并联的等效电容为 512C'10C C F -=+=,电势差为'600()' Q U V C = =。 [ D ]4(基础训练10)两个完全相同的电容器C 1和C 2,串联后与电源连接。现将一各向同性均匀电介质板插入C 1中,如图所示,则(A) 电容器组总电容减小. (B) C 1上的电荷大于C 2上的电荷. (C) C 1上的电压高于C 2上的电压 .(D) 电容器组贮存的总能量增大. 【提示】(A) C 1↑,1/C=(1/C 1)+(1/C 2),∴C ↑ (B) 串联,Q 1=Q 2 (C) U 1=Q/C 1,U 2=Q/C 2 ,∴U 1

大学物理 第7章 真空中的静电场 答案

第七章 真空中的静电场 7-1 在边长为a 的正方形的四角,依次放置点电荷q,2q,-4q 和2q ,它的几何中心放置一个单位正电荷,求这个电荷受力的大小和方向。 解:如图可看出两2q 的电荷对单位正电荷的在作用力 将相互抵消,单位正电荷所受的力为 )41()2 2( 420+= a q F πε=,252 0a q πε方向由q 指向-4q 。 7-2 如图,均匀带电细棒,长为L ,电荷线密度为λ。(1) 求棒的延长线上任一点P 的场强;(2)求通过棒的端点与棒垂直上任一点Q 的场强。 解:(1)如图7-2 图a ,在细棒上任取电荷元dq ,建立如图坐标,dq =λd ξ,设棒的延长线上任一点P 与坐标原点0的距离为x ,则 2 02 0)(4)(4ξπεξ λξπεξ λ-= -= x d x d dE 则整根细棒在P 点产生的电场强度的大小为 )1 1(4)(400 20 x L x x d E L --=-= ? πελξξπελ = ) (40L x x L -πελ方向沿ξ轴正向。 (2)如图7-2 图b ,设通过棒的端点与棒垂直上任一点Q 与坐标原点0的距离为y 2 04r dx dE πελ= θπελcos 42 0r dx dE y = , θπελsin 42 0r dx dE x = 因θ θθθcos ,cos ,2y r d y dx ytg x ===, 习题7-1图 dq ξ d ξ 习题7-2 图a x x dx 习题7-2 图b y

代入上式,则 )cos 1(400θπελ-- =y =)1 1(4220L y y +--πελ,方向沿x 轴负向。 θθπελ θd y dE E y y ??= =0 0cos 4 00sin 4θπελy = = 2204L y y L +πελ 7-3 一细棒弯成半径为R 的半圆形,均匀分布有电荷q ,求半圆中心O 处的场强。 解:如图,在半环上任取d l =Rd θ的线元,其上所带的电荷为dq=λRd θ。对称分析E y =0。 θπεθ λsin 42 0R Rd dE x = ??==πθπελ 00sin 4R dE E x R 02πελ = 2 02 2R q επ= ,如图,方向沿x 轴正向。 7-4 如图线电荷密度为λ1的无限长均匀带电直线与另一长度为l 、线电荷密度为λ2的均匀带电直线在同一平面内,二者互相垂直,求它们间的相互作用力。 解:在λ2的带电线上任取一dq ,λ1的带电线是无限长,它在dq 处产生的电场强度由高斯定理容易得到为, x E 01 2πελ= 两线间的相互作用力为 θ θπελ θd y dE E x x ??-= -=0 0sin 4x 习题7-3图 λ1 习题7-4图

静电场中的导体与电介质考试题及答案

静电场中的导体与电介质考试题及答案 6 -1 将一个带正电的带电体A 从远处移到一个不带电的导体B 附近,则导体B 的电势将( ) (A ) 升高 (B ) 降低 (C ) 不会发生变化 (D ) 无法确定 分析与解 不带电的导体B 相对无穷远处为零电势。由于带正电的带电体A 移到不带电的导体B 附近时,在导体B 的近端感应负电荷;在远端感应正电荷,不带电导体的电势将高于无穷远处,因而正确答案为(A )。 6 -2 将一带负电的物体M 靠近一不带电的导体N ,在N 的左端感应出正电荷,右端感应出负电荷。若将导体N 的左端接地(如图所示),则( ) (A ) N 上的负电荷入地 (B )N 上的正电荷入地 (C ) N 上的所有电荷入地 (D )N 上所有的感应电荷入地 分析与解 导体N 接地表明导体N 为零电势,即与无穷远处等电势,这与导体N 在哪一端接地无关。因而正确答案为(A )。 6 -3 如图所示将一个电量为q 的点电荷放在一个半径为R 的不带电的导体球附近,点电荷距导体球球心为d ,参见附图。设无穷远处为零电势,则在导体球球心O 点有( ) (A )d εq V E 0π4,0= = (B )d εq V d εq E 02 0π4,π4== (C )0,0==V E

(D )R εq V d εq E 020π4,π4== 分析与解 达到静电平衡时导体内处处各点电场强度为零。点电荷q 在导 体球表面感应等量异号的感应电荷±q ′,导体球表面的感应电荷±q ′在球心O 点激发的电势为零,O 点的电势等于点电荷q 在该处激发的电势。因而正确答案为(A )。 6 -4 根据电介质中的高斯定理,在电介质中电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于这个曲面所包围自由电荷的代数和。下列推论正确的是( ) (A ) 若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于零,曲面内一定没有自由电荷 (B ) 若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于零,曲面内电荷的代数和一定等于零 (C ) 若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分不等于零,曲面内一定有极化电荷 (D ) 介质中的高斯定律表明电位移矢量仅仅与自由电荷的分布有关 (E ) 介质中的电位移矢量与自由电荷和极化电荷的分布有关 分析与解 电位移矢量沿任意一个闭合曲面的通量积分等于零,表明曲面 内自由电荷的代数和等于零;由于电介质会改变自由电荷的空间分布,介质中的电位移矢量与自由电荷与位移电荷的分布有关。因而正确答案为(E )。 6 -5 对于各向同性的均匀电介质,下列概念正确的是( ) (A ) 电介质充满整个电场并且自由电荷的分布不发生变化时,电介质中的电场强度一定等于没有电介质时该点电场强度的1/εr倍 (B ) 电介质中的电场强度一定等于没有介质时该点电场强度的1/εr倍 (C ) 在电介质充满整个电场时,电介质中的电场强度一定等于没有电介质时该

大学物理课后答案解析第七章静电场中的导体及电介质1.doc

大学物理课后答案解析第七章静电场中的导体及电介质1习题7 7-2 三个平行金属板A ,B 和C 的面积都是200cm 2 ,A 和B 相距4.0mm ,A 与C 相距2.0 mm .B ,C 都接地,如题7-2图所示.如果使A 板带正电3.0 ×10-7 C ,略去边缘效应,问B 板和C 板上的感应电荷各是多少?以地的电势为零,则A 板的电势是多少? 解: 如题7-2图示,令A 板左侧面电荷面密度为1σ,右侧面电荷面密度为2σ 题7-2图 (1)∵AB AC U U =,即∴AB AB AC AC E E d d = ∴ 2d d 21===AC AB AB AC E E σσ且1σ+2σS q A

= 得,32S q A = σS q A 321=σ而711023 2 -?-=- =-=A C q S q σC C 10172-?-=-=S q B σ (2) 30 1 103.2d d ?== =AC AC AC A E U εσV 7-3 两个半径分别为1R 和2R (1R <2R )的同心薄金属球壳,现给内球壳带电+q (1) (2)先把外球壳接地,然后断开接地线重新绝缘,此时外球壳的电荷分布及 *(3)再使内球壳接地,此时内球壳上的电荷以及外球壳上的电势的改变 解: (1)内球带电q +;球壳内表面带电则为q -,外表面带电为q +,且均匀分布,其电势

题7-3图 ? ? ∞ ∞==?=2 2 2 0π4π4d d R R R q r r q r E U εε(2)外壳接地时,外表面电荷q +入地,外表面不带电,内表面电荷仍为 q -.所以球壳电势由内球q +与内表面q -产生: 0π4π42 02 0=- = R q R q U εε (3)设此时内球壳带电量为q ';则外壳内表面带电量为q '-,外壳外表面带电量为+-q q ' (电荷守恒),此时内球壳电势为零,且

第十章 静电场中的电介质

第九章 静电场中的导体 9.1 选无穷远处为电势零点,半径为R 的导体球带电后,其电势为U 0,则球外离球心距离为r 处的电场强度的大小为 (A) 3 2r U R . (B) R U 0. (C) 2 0r RU . (D) r U 0 . [ C ] 9.2如图所示,一厚度为d 的“无限大”均匀带电导体板,电荷面密度为σ ,则板的两侧离 板面距离均为h 的两点a 、b 之间的电势差为: (A) 0. (B) 2εσ . (C) 0εσh . (D) 0 2εσh . [ A ] 9.3 一个未带电的空腔导体球壳,内半径为R .在腔内离球心的距离为d 处( d < R ),固定 一点电荷+q ,如图所示. 用导线把球壳接地后,再把地线撤去.选无穷远处为电势零点,则球心O 处的电势为 (A) 0 . (B) d q 04επ. (C) R q 04επ-. (D) )1 1(4 R d q -πε. [ D ] 9.4 在一不带电荷的导体球壳的球心处放一点电荷,并测量球壳内外的场强分布.如果将此 点电荷从球心移到球壳内其它位置,重新测量球壳内外的场强分布,则将发现: (A) 球壳内、外场强分布均无变化. (B) 球壳内场强分布改变,球壳外不变. (C) 球壳外场强分布改变,球壳内不变. (D) 球壳内、外场强分布均改变. [ B ] 9.5在一个孤立的导体球壳内,若在偏离球中心处放一个点电荷,则在球壳内、外表面上将出现感应电荷,其分布将是:

(A) 内表面均匀,外表面也均匀. (B) 内表面不均匀,外表面均匀. (C) 内表面均匀,外表面不均匀. (D) 内表面不均匀,外表面也不均匀. [ B ] 9.6当一个带电导体达到静电平衡时: (A) 表面上电荷密度较大处电势较高. (B) 表面曲率较大处电势较高. (C) 导体内部的电势比导体表面的电势高. (D) 导体内任一点与其表面上任一点的电势差等于零. [ D ] 9.7如图所示,一内半径为a 、外半径为b 的金属球壳,带有电荷Q ,在球壳空腔内距离球心r 处有一点电荷q .设无限远处为电势零点,试求: (1) 球壳内外表面上的电荷. (2) 球心O 点处,由球壳内表面上电荷产生的电势. (3) 球心O 点处的总电势. 解:(1) 由静电感应,金属球壳的内表面上有感生电荷-q ,外表面上带电荷q +Q . (2) 不论球壳内表面上的感生电荷是如何分布的,因为任一电荷元离O 点的 距离都是a ,所以由这些电荷在O 点产生的电势为 a dq U q 04επ= ?-a q 04επ-= (3) 球心O 点处的总电势为分布在球壳内外表面上的电荷和点电荷q 在O 点产生的电势的代数和 q Q q q O U U U U +-++= r q 04επ= a q 04επ- b q Q 04επ++ )111(40b a r q +-π=εb Q 04επ+ 9.8有一"无限大"的接地导体板 ,在距离板面b 处有一电荷为q 的点电荷.如图所示,试求: (1) 导体板面上各点的感生电荷面密度分布. (2) 面上感生电荷的总电荷.

04.静电场中的导体答案

《大学物理》练习题 No .4 静电场中的导体 电介质及能量 班级 ___________ 学号 ___________ 姓名 ___________ 成绩 ________ 一、 选择题 1. 如图4.1,真空中有一点电荷Q 及空心金属球壳A, A 处于静电平衡, 球内有一点M, 球壳中有一点N, 以下说法正确的是 [ E ] (A) E M ≠0, E N =0 ,Q 在M 处产生电场,而在N 处不产生电场; (B) E M =0, E N ≠0 ,Q 在M 处不产生电场,而在N 处产生电场; (C) E M = E N =0 ,Q 在M 、N 处都不产生电场; (D) E M ≠0,E N ≠0,Q 在M 、N 处都产生电场; (E) E M = E N =0 ,Q 在M 、N 处都产生电场. 2.如图4.2,原先不带电的金属球壳的球心处放一点电荷q 1 , 球外放一点电荷q 2 ,设q 2 、金属内表面的电荷、外表面的电荷对q 1的作用力分别为F 1、F 2、F 3 , q 1受的总电场力为F , 则 [ C ] (A) F 1=F 2=F 3=F =0. (B) F 1= q 1 q 2 / ( 4 π ε0 d 2 ) , F 2 = 0 , F 3 = 0 , F =F 1 . (C) F 1= q 1 q 2 / ( 4 π ε0 d 2 ) , F 2 = 0 ,F 3 =- q 1 q 2 / ( 4 π ε0 d 2 ) (即与F 1反 向), F =0 . (D) F 1= q 1 q 2 / ( 4 π ε0 d 2 ) , F 2 = - q 1 q 2 / ( 4 π ε0 d 2 ) (即与F 1反 向) ,F 3 =0, F =0 . (E) F 1= q 1 q 2 / ( 4 π ε0 d 2 ) , F 2=- q 1 q 2 / ( 4 π ε0 d 2 ) (即与F 1反向), F 3 = 0, F =0 . 3. 一导体球外充满相对电容率为εr 的均匀电介质,若测得导体表面附近场强为E ,则导体球面上的自由电荷面密度σ为: [ B ] (A) ε0E . (B) ε0εr E . (C) εr E . (D) (ε0εr -ε0)E . 4. 两个半径相同的金属球,一为空心,一为实心,把两者各自孤立时的电容值加以比较,则: [ C ] (A) 空心球电容值大. (B) 实心球电容值大. (C) 两球电容值相等. (D) 大小关系无法确定. 5.平行板电容器充电后与电源断开,然后在两极板间插入一导体平板,则电容C , 极板间电压V ,极板空间(不含插入的导体板)电场强度E 以及电场的能量W 将(↑表示增大,↓表示减小) [ B ] (A) C ↓,U ↑,W ↑,E ↑. (B) C ↑,U ↓,W ↓,E 不变. (C) C ↑,U ↑,W ↑,E ↑. (D) C ↓,U ↓,W ↓,E ↓. ?Q 图4.1, q 图4.2

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