电磁炉工作原理 简介 1.1电磁加热原理 电磁灶是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。在电磁灶内部，由整流电路将50/60HZ的 交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHZ的高频电压，高速变化的电 流流过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场内的磁力线通过金属器皿（导磁又导电材料）底部金属体内 产生无数的小涡流，使器皿本身自行高速发热，然后再加热器皿内的东西。 1.2 47系列筒介 47系列是由正夫人旗下中山电子技术开发制造厂设计开发的全新一代电磁炉，面板有LED发光二极管 显示模式、LED数码显示模式、LCD液晶显示模式、VFD莹光显示模式、TFT真彩显示模式机种。操作功能有加热火力调节、自动恒温设定、定时关机、预约开/关机、预置操作模式、自动泡茶、自动煮饭、 自动煲粥、自动煲汤及煎、炸、烤、火锅等料理功能机种。额定加热功率有500W?3400W的不同机种，功率调节范围为额定功率的90%,并且在全电压范围内功率自动恒定。200?240V机种电压使用范围为 160?260V, 100?120V 机种电压使用范围为90?135V。全系列机种均适用于50、60Hz的电压频率。使 用环境温度为-23 C ~45 'C。电控功能有锅具超温保护、锅具干烧保护、锅具传感器开/短路保护、2 小时不按键（忘钾机）保护、IGBT温度限制、IGBT温度过高保护、低温环境工作模式、IGBT测温传感器开/短路保护、高低电压保护、浪涌电压保护、VCE抑制、VCE过高保护、过零检测、小物检测、锅具材质检测。 47系列须然机种较多，且功能复杂，但不同的机种其主控电路原理一样，区别只是零件参数的差异及CPU程序不同而己。电路的各项测控主要由一块8位4K内存的单片机组成，外围线路简单且零件极少 ， 并设有故障报警功能，故电路可靠性高，维修容易，维修时根据故障报警指示，对应检修相关单元电路，大部分均可轻易解决。 二、电磁炉工作原理分析 2.1特殊零件简介 2.1.1 LM339 集成电路
华为公司组织及财务系统华为公司组织结构图示
一、华为公司管理职位设置及职责 本公司管理职位分为以下四个层次： 第一层次：“公司总裁” 第二层次：各大系统，职位名称“系统总裁” 第三层次：各一级部门，职位名称“部门总监” 第四层次：各二级部门，职位名称“部门经理” 决策、协调委员会 组成人员： 公司总裁、各系统总裁、各部总监及各有关专业资深顾问。 主要任务： a)确定公司的战略发展方向、经营理念； b)产品开发、市场拓展的战略规划； c)制定人力资源开发、管理、运用策略； d)财经管理； 议事方式： a)常规会议议事：每两周一次； b)临时会议议事：由各委员提议；主任委员视议题缓急之轻重程度予以批准 后即可召开； 会议须有议程；各委员会前须有准备；会议结论力求确定可行。 总裁办公室 职位名称：[总裁办公室主任] 主要任务：协助公司总裁，完成各项日常行政事务工作，负责总裁与各系统之间的信息沟通工作，负责各系统之间的沟通与协调工作。
管理工程部 职位名称：[管理工程总监] 主要任务：承担公司管理工程项目的规划和组织实施工作，为公司各业务系统及部门提供专项管理辅导。 审计部 职位名称：[审计总监] 主要任务：在公司总裁的直接领导下，对公司经营管理的各方面各环节进行独立监督和评价，以确定其是否遵循了公司的方针、政策和计划，是否符合公司规定的程序和标准，是否有效和经济地使用了资源，是否正在实现公司的目标。 法律事务部 职位名称：[法律事务总监] 主要任务：负责公司日常法律事务的处理，公司对外纠纷、诉讼事宜的处理，为公司的对外投资各项制度改革等重大事宜提供法律意见，起草或审订公司重要的法律文件。 研究开发系统 职位名称：[研究开发系统总裁] 主要任务：研究开发系统总裁统率所属部门，在公司总裁指挥下，综理本公司产品和技术之研究、开发、试验之事务。其主要分项任务如下： a)依据公司产品战略发展规划拟订产品、新技术研究开发计划及产品中试计 划； b)督促所属部门按项目管理程序组织产品开发工作及新技术研究开发工作； c)督促所属部门组织和实施设计验证、设计评审和设计改进工作； d)签订研究开发系统之组织结构及人员配置变动； e)在公司总裁授权下，发展各类研究和开发专业人才，以及决定本系统人员之 考核、加薪及晋升水准； 3
电磁炉电路图: 1 2 345 6 A B C D 6 5 4 3 2 1 D C B A Title N u mb er R e v is io n Siz e B D a te :21-D e c-2002 She e t of File : D :\d cl\p d\M C -PD .d db D ra w n B y : L1400UH C15uF/400DC C2101/35V IGB T 1 SGL25N120RUFD R3 330K*/1/2W R5 150K*/1/2W R6150K*/1/2W R71K2*/1/6W C356P/35V R84K7*/1/6W R9 240K*/1/2W R10240K*/1/2W 9 8 14 U1C LM339 7 6 1 U1B LM339 11 10 13 U1D LM339 D34148 R11330/1/6W C4101/35V R 17 330R /1/6W D44148 D54148 D64148R18 6K8*/1/6W C6222J R20 4K7*/1/6W R 19 2K */1/6W R22 5K1*/1/6W 1 2 3 4 5 6 7 U2 TA8316AS D74148R2310K /1/6W R3127k/1/6W C7 681/35V R3247R /1/2W R33 3R9/1/2W BUZ115240 R24 10K */1/6W 5 4 2 3 12 U1A LM339 R34 3.3K*/1/6W R3520K /1/6W R4 330K*/1/2W TOSHIB A TA8316S C80.27uF/1200VDC Q1 2SC 1815 C 9 2.2u F /16V R39120K/1/6W R40 56R /1/6W D84148 RTK175C D144148 R412K*/1/6W FAN1 12V DCFA N Q28050 R38 1K/1/6W D154148 CN1 XH2.54-2 CN3XH2.54-3 RT1 100K CN2EH2.54-2 C102.2uF/16V R424K7*/1/6W R43750R/1/6W R45 1M/1/6W Q49015Z1 3.6V/1/2W R44750R/1/6W C13104/35V R 25 10K /1/6W C14104/35V XL116M R64 330K*/1/2W C23101/35V R4715K */1/6W C15104/35V R 48 24K */1/6W D16 4148 C112.2uF/16V R216K2*/1/6W C24 104/35V C5101/35V D94148 新电磁炉电路图 IR Q 1 1 PTA 0/K B I02V SS 3O SC 1 4O SC 2/PTA 6/K B I65 PTA 1/K B I16 V D D 7 PTA 2/K B I28PTA 3/K B I39PTB 7/A D C 710PTB 6/A D C 611PTB 5/A D C 512PTD 713PTD 6 14 PTB 4/A D C 4 15 PTD 0/A D C 1116PTB 3/A D C 317PTB 2/A D C 218PTD 1/A D C 1019PTB 1/A D C 120PTB 0/A D C 021PTD 3/A D C 822PTA 4/K B I423PTD 2/A D C 924PTD 5/TC H 125PTD 4/TC H 026PTA 5/K B I527R ST 28U3MC 68HC908J L3 C16103/35V L2 130uH R50 1K/1/6W R1210K /1/6W Q59014 R514K7/1/6W （线圈盘） D104148 R523K9/*1/6W FUSE 112A /250V U VAR110D 471 C31 2uF/250VAC A C 1 A C 2 + 3 - 4 B1 1507 R134K7/1/6W R26 4K7/1/6W R53 10K /1/6W C32333/35V Q99014 +5V ZER O Q7 D667/E CB Q8 D667/E CB T1 TRANS R 54 560R /1/2W Z2 13V /1/2W C17104/35V C 33 47u F /25V C 35 100u F /25V R55 560R/1/2W Z 318V /1/2W C18104/35V K 1K 2 K 3K 4 V O L ZER O B 0B 1B 2B 3B 4C 0C 1C 2C 3K 1 K 2K 3K 4O U T FA N PW R B U Z TEM P V V O L C U R R EN T B U Z R ST +12V FA N +5V R ST +5V TEM P +5V V C26 100uF/16V C3447uF/25V C36 470uF/35V C 37 220u F /35V +12V +18V D171N4004 D 181N 4004D191N4004 D201N4004 C38470uF/25V R56 680R/1/2W R154K7/1/6W Q3D667 U4 TL 431 R164K7/1/6W C27100uF/16V C20 104/35V +5V +18V PW M +5V O U T +5V +5V ZER O C391uF/16V C B 18V/500mA O S1O S2 PTA 0 M C U #2 D 21IN 4004 R 62 240K */1/2W R 63 240K */1/2W R 651M /1/6W R 6656R /1/6W D 134148 D 244148 C 432.2U /16V +5 D 23IN 4004 1 2C N 5SH 3.96-2 C 25 47U /16V C 29 100U /16V C 19104/35V +5 Q69014 R 14 4K 7/1/6W CT11:/850 C12103/35V R2330*/1/6w D 14148D 24148 D 114148 D 224148V R 11K D 254148 D 264148 R 27 7.5K */1/6W R 28 51K /1/6W R 1 330/1/6W C U R R EN T C 212.2U /16V +5 +18V +5 C 22333/35V 123C N 4SH 3.96-3 123456789 C N 6C O N 9 12345678910 C N 10C O N 10 12345678910 C N 11C O N 10 + 12 34 5 C N 9 C O N 5 R 291k/1/6w +5 功率板 C N 11-6 C N 11-5 C N 11-7 C N 11-8 C N 11-1C N 11-2 C N 11-3 C N 11-4 C N 11-10 C N 11-9 K 2G N D K 3K 4K 1B 2B 1B 0B 4C 2B 3C 3C 1C 0 控制板 控制板 控制板 功率板C 28104/35V R 301M /1/6W C 30474/35V C 40103/35v C 41103/35V C 42103/35v R 70 10K /1/6W R 6910K /1/6W R 6810K /1/6W R 6710K /1/6W +5 R 9R 3R 63R 64R 5R 4I 1I 2G N D O U T C 45 100U /35V
多晶硅的基础知识 重要的半导体材料，化学元素符号Si，[wiki]电子[/wiki]工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和[wiki]机械[/wiki]等性能。硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。 在研究和生产中，硅材料与硅器件相互促进。在第二次世界大战中，开始用硅制作雷达的高频晶体检波器。所用的硅纯度很低又非单晶体。1950年制出第一只硅晶体管，提高了人们制备优质硅单晶的兴趣。1952年用直拉法(CZ)培育硅单晶成功。1953年又研究出无坩埚区域熔化法(FZ)，既可进行物理提纯又能拉制单晶。1955年开始采用锌还原四氯化硅法生产纯硅，但不能满足制造晶体管的要求。1956年研究成功[wiki]氢[/wiki]还原三氯氢硅法。对硅中微量杂质又经过一段时间的探索后，氢还原三氯氢硅法成为一种主要的方法。到1960年，用这种方法进行工业生产已具规模。硅整流器与硅闸流管的问世促使硅材料的生产一跃而居半导体材料的首位。60年代硅外延生长单晶技术和硅平面工艺的出现，不但使硅晶体管制造技术趋于成熟，而且促使集成电路迅速发展。80年代初全世界多晶硅产量已达2500吨。硅还是有前途的太阳电池材料之一。用多晶硅制造太阳电池的技术已经成熟；无定形非晶硅膜的研究进展迅速；非晶硅太阳电池开始进入市场。 化学成分硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质，它们的存在会使PN结性能变坏。硅中碳含量较高，低于1ppm者可认为是低碳单晶。碳含量超过3ppm时其有害作用已较显著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅单晶氧含量在5～40ppm范围内；区熔硅单晶氧含量可低于1ppm硅的性质硅具有优良的半导体电学性质。禁带宽度适中，为1.21电子伏。载流子迁移率较高，电子迁移率为1350厘米2/伏?秒，空穴迁移率为480厘米2/伏?秒。本征电阻率在室温(300K)下高达2.3×105欧?厘米,掺杂后电阻率可控制在104～10-4 欧?厘米的宽广范围内，能满足制造各种器件的需要。硅单晶的非平衡少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间。热导率较大。化学性质稳定，又易于形成稳定的热氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜实现PN结表面钝化和保护，还可以形成金属-氧化物-半导体结构,制造MOS场效应晶体管和集成电路。上述性质使PN结具有良好特性，使硅器件具有耐高压、反向漏电流小、效率高、使用寿命长、可靠性好、热传导好，并能在200高温下运行等优点。 硅单晶的主要技术参数硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。 导电类型导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶多掺硼，N型单晶多掺磷,外延片衬底用N型单晶掺锑或砷。 电阻率与均匀度拉制单晶时掺入一定杂质以控制单晶的电阻率。由于杂质分布不匀，电阻率也不均匀。电阻率均匀性包括纵向电阻率均匀度、断面电阻率均匀度和微区电阻率均匀度。它直接影响器件参数的一致性和成品率。 非平衡载流子寿命光照或电注入产生的附加电子和空穴瞬即复合而消失，它们平均存在的时间称为非平衡载流子的寿命。非平衡载流子寿命同器件放大倍数、反向电流和开关特性等均有关系。寿命值又间接地反映硅单晶的纯度，存在重金属杂质会使寿命值大大降低。 晶向与晶向偏离度常用的单晶晶向多为(111)和(100)（见图）。晶体的轴与晶体方向不吻合时，其偏离的角度称为晶向偏离度。 晶体缺陷生产电子器件用的硅单晶除对位错密度有一定限制外，不允许有小角度晶界、位错排、星形结构等缺陷存在。位错密度低于200/厘米2者称为无位错单晶，无位错硅单晶占产量的大多数。在无位错硅单晶中还存在杂质原子、空位团、自间隙原子团、氧碳
电磁炉工作原理 简介 1.1 电磁加热原理 电磁灶是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。在电磁灶内部，由整流电路将50/60Hz 的交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHz 的高频电压，高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场内的磁力线通过金属器皿( 导磁又导电材料) 底部金属体内产生无数的小涡流，使器皿本身自行高速发热，然后再加热器皿内的东西。 1.2 47 系列筒介 47 系列是由正夫人旗下中山电子技术开发制造厂设计开发的全新一代电磁炉,面板有LED 发光二极管显示模式、LED 数码显示模式、LCD 液晶显示模式、VFD 莹光显示模式、TFT 真彩显示模式机种。操作功能有加热火力调节、自动恒温设定、定时关机、预约开/ 关机、预置操作模式、自动泡茶、自动煮饭、自动煲粥、自动煲汤及煎、炸、烤、火锅等料理功能机种。额定加热功率有500W~3400W 的不同机种, 功率调节范围为额定功率的90%, 并且在全电压范围内功率自动恒定。200~240V 机种电压使用范围为160~260V, 100~120V 机种电压使用范围为90~135V 。全系列机种均适用于50 、 60Hz 的电压频率。使用环境温度为-23 ℃~45 ℃。电控功能有锅具超温保护、锅具干烧保护、锅具传感器开/ 短路保护、 2 小时不按键( 忘钾机) 保护、IGBT 温度限制、IGBT 温度过高保护、低温环境工作模式、IGBT 测温传感器开/ 短路保护、高低电压保护、浪涌电压保护、VCE 抑制、VCE 过高保护、过零检测、小物检测、锅具材质检测。 47 系列须然机种较多, 且功能复杂, 但不同的机种其主控电路原理一样, 区别只是零件参数的差异及CPU 程序不同而己。电路的各项测控主要由一块8 位4K 内存的单片机组成, 外围线路简单且零件极少, 并设有故障报警功能, 故电路可靠性高, 维修容易, 维修时根据故障报警指示, 对应检修相关单元电路, 大部分均可轻易解决。 二、电磁炉工作原理分析 2.1 特殊零件简介 2.1.1 LM339 集成电路
电磁炉电路板简单维修方法 一、电路板烧 IGBT 或保险丝的维修程序 电流保险丝或 IGBT 烧坏，不能马上换上该零件，必须确认下列其它零件是在正常状态时才能进行更换，否则， IGBT 和保险丝又会烧坏。 1．目视电流保险丝是否烧断 2．检测 IGBT 是否击穿： 用万用表二极管档测量IGBT的“ E”；“ C”；“ G”三极间是否击穿。 A :“ E”极与“G”极；“C”极与“G”极，正反测试均不导通（正常）。 B:万用表红笔接” E “极，黑笔接“ C”极有0.4V左右的电压降（型号为GT40T101三极全不通）＜ 3．测量互感器是否断脚，正常状态如下: 用万用表电阻档测量互感器次级电阻约 80Q ;初极为0Q。 4．整流桥是否正常（用万用表二极管档测试）: A :万用表红笔接“-”，黑笔接“ +”有0.9V左右的电压降，调反无显示。 B:万用表红笔接“-”，黑笔分别接两个输入端均有 0.5V左右的电压降，调反无显示。 C:万用表黑笔接“ +”，红笔分别接两个输入端均有 0.5V左右的电压降，调反无显示。 5?检查电容C301; C302; C303;是否受热损坏。（如果损坏已变形或烧熔） 6．检测芯片 8316 是否击穿: 测量方法:用万用表测量 8316引脚，要求 1和2； 1和4； 7和2； 7和4之间不能短路。 7．IGBT 处热敏开关绝缘保护是否损坏。 、按键动作不良
按键动作不良的检测测量CPU 口线是否击穿：用万用表二极管档测量CPU极与接地端，均有0.7V左右的电压降，万用表红笔接“地”；黑笔接“ CPU每一极口线”。否则，说明 CPU 口线击穿。 三、功率不能达到要求 1．线圈盘短路： 测试线圈盘的电感量：PSD系数为L=157± 5凋,PD系列为L=140 ± 5卩；H。 2．锅具与线圈盘距离是否正常。 3．锅具是否是指定的锅具。 四、检查各元气件是否松动，是否齐全 装配后不良状况的检查： 1. 不加热：检查互感器是否断脚。 2. 插电后长鸣：检查温度开关端子是否接插良好。 3. 无法开机：检查热敏电阻端子是否接插良好。(Nancy) 美的电磁炉同故障却不同元件受损 故障现象：有两台同样的，美的售后送修MC-EY108电磁炉，上电开机后，能检锅加热，但均几秒钟后就自动关机。 故障分析：当电磁炉上电开机后，能“检锅”加热，但几秒钟后出现自动关机。能造成电磁炉自动关机主要因 素有；交流电网电压上升与下降低时、锅具检温电路热敏电阻、IGBT检温电路热敏电阻、及 CPU第 9脚(TMAIN电压 取样电阻R18 (330K Q /2W)、开路受损时，均导致电磁炉出现以上故障现象。 故障维修1、测整机低压供电电路 +18V、+5V均正常，测 CN3锅具温度检测插口第 1脚对地+5V电压、第2、3 脚对地 +0.25V电压均正常。测 CN1 (IGBT)检温插口第1脚对地+5V电压、第2脚对地0电压(正常为+0.3V )。经检查后发现CN1插口IGBT检温电路中的热敏电阻开路受损，更换热敏电阻后整机恢复正常。 故障维修2、测整机低压供电电路 +18V、+5V均正常，测 CN3锅具温度检测插口第 1脚对地+5V电压、第2、3 脚对地 +0.25V电压均正常。测 CN1 (IGBT)检温插口第1脚对地+5V电压、第2脚对地+0.3V电压，均正常。测控制电路板上CPU第10脚对地0电压(正常为+0.3V)，用500型三用表电阻100Q档，经检查后发现控制电路板上 C3 (104) 电容器击穿受损，更换 C3电容器后整机恢复正常。 维修1 )、因IGBT检温热敏电阻开路，故 CPU第 10脚检测不到+0.3V电压后，CPU旨令保护关机。维修 2 )、 可编辑修改
09年电磁炉维修手册 第一节09年美的电磁炉使用主板概述 09年，美的电磁炉国内单炉主要使用TM-S1-01A-A(TM-S1-01A升级版),TM-S1-01D两块主板。两块主板使用不同的集成芯片，前者使用S007芯片，后者使用三洋芯片。 集成芯片内置单片机处理单元，比较器，放大器等电路。从而大大简化了电磁炉外围电路。下面分别讲述此两块主板线路主要原理，维修方法。由于此两块主板芯片原理，外围线路基本相似，读者可按类比方法理解或维修。 第二节产品命名方式 09年国内单炉产品命名方式如下：
第三节电磁炉产品爆炸图
一、电磁炉的结构分析 电磁炉的立体结构分析图 电磁炉的结构相对来说较简单，主要由：塑料外壳、陶瓷面板、电控系统、散热系统等构成。如下图：
⑴、塑料面盖和塑料底座构成了电磁炉的塑料外壳。 ⑵、陶瓷面板就是电磁炉上的微晶玻璃板。 ⑶、电控系统主要由主电路板、显示板、线圈盘等组件构成。 ⑷、散热系统由散热风机、温度传感器、电路板散热片等组成。 电磁炉的整体结构图 第四节 电磁炉工作原理 一、电磁炉工作原理 微晶面板 塑料底座 主电路板 显 示 板 线 圈 盘 塑料面盖 风 机
1、电磁炉的加热原理 电磁炉主要是利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。 当电磁炉在正常工作时，由整流电路将50Hz的交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHz的高频电压。电磁炉线圈盘上就会产生交变磁场，磁力线就会在锅具底部反复切割变化，使锅具底部产生环状电流（涡流），并利用无数的小涡流高速振荡铁分子，致使器皿本身自行高速发热，然后通过热量传递原理，使器皿加热盛装在其内的东西。 这种振荡生热的加热方式，能减少热量传递的中间环节，大大提高制热效率。 电磁炉是应用高频感应涡流生热的原理设计制造的，它保持并大大优于一般热源炉的烹饪功能，有“烹饪之神”的美誉。 2、电磁炉电控部分工作原理 3、电磁炉工作流程：
第五章知识结构如下图所示： 第六章知识结构 第七章知识结构框图如下：
（二）开展好课题学习 可以如下展开课题学习： （1）背景了解多边形覆盖平面问题来自实际． （2）实验发现有些多边形能覆盖平面，有些则不能． （3）分析讨论多边形能覆盖平面的基本条件，发现问题与多边形的内角大小有密切关系，运用多边形内角和公式对实验结果进行分析． （4）运用进行简单的镶嵌设计． 首先引入用地砖铺地，用瓷砖贴墙等问题情境，并把这些实际问题转化为数学问题：用一些不重叠摆放的多边形把平面的一部分完全覆盖．然后让学生通过实验探究一些多边形能否镶嵌成平面图案，并记下实验结果：
（1）用正三角形、正方形或正六边形可以镶嵌成一个平面图案（图1）．用正五边形不能镶嵌成一个平面图案． （2）用正三角形与正方形可以镶嵌成一个平面图案．用正三角形与正六边形也可以镶嵌成一个平面图案． （3）用任意三角形可以镶嵌成一个平面图案, 用任意四边形可以镶嵌成一个平面图案(图2)．
观察上述实验结果，得出多边形能镶嵌成一个平面图案需要满足的两个条件: （1）拼接在同一个点（例如图2中的点O）的各个角的和恰好等于360°（周角）； （2）相邻的多边形有公共边（例如图2中的OA两侧的多边形有公共边OA）． 运用上述结论解释实验结果，例如，三角形的内角和等于180°，在图2中，∠1+∠2+∠3=180°．因此,把6个全等的三角形适当地拼接在同一个点（如图2）, 一定能使以这点为顶点的6个角的和恰好等于360°,并且使边长相等的两条边贴在一起．于是, 用三角形能镶嵌成一个平面图案．又如，由多边形内角和公式，可以得到五边形的内角和等于 (5－2)×180°=540°． 因此,正五边形的每个内角等于 540°÷5=108°, 360°不是108°的整数倍,也就是说用一些108°的角拼不成360°的角．因此，用正五边形不能镶嵌成一个平面图案． 最后，让学生进行简单的镶嵌设计，使所学内容得到巩固与运用．１．利用二（三）元一次方程组解决问题的基本过程 ２．本章知识安排的前后顺序
Advanced Materials Industry 多晶硅铸锭炉 产业现状与发展前景 一、全球光伏产业的发展现状简述 在严峻的能源替代形势和人类生态环境日益恶化的压力下，在持续的技术进步和逐步完善的法规政策的强力推动下，太阳能光伏发电产业成为20世纪80年代后世界上增长最快的高新技术产业之一。设备作为光伏产业的支撑，对光伏产业的发展起到了至关重要的作用。 根据世界能源组织对未来光伏发电发展趋势的预测，到2020年世界光伏发电将占总发电量的1％，到2040年光伏发电将占全球发电量的21％，而2009年这一比例仅为千分之几。按此推算，未来20年，全球光伏产业的年复合增长率将达到25％以上。 ■ 文/梁仁和 代红云 侯英新 北京京仪世纪电子股份有限公司 尽管受到金融危机的严重影响，2009年全球太阳能电池综合产量依然由2008年的6.85G W增至9.34G W。 中国大陆与台湾光伏产品的产量占 据较大市场份额，占全球电池产量的49%。图1展示了2005-2009年全球晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池产量的变化。 数据来源：国际太阳能市场研究咨询公司Solarbuzz。 图1 2005-2009年全球晶体硅太阳能电池与薄膜太阳能电池产量
从图2可以看出，光伏产业发展迅速，2005-2009年，太阳能电池产量保持着30%以上的逐年递增率。晶体硅片是制作光伏太阳能电池的主要材料，每生产1MW的太阳能电池组件需要17t左右的原料。据美国市场调查公司Clean Edge预计，全球太阳能发电市场投资规模将从2005年的110亿美元猛进增到2015年的510亿美元。 二、国内外多晶硅铸锭炉市场发展现状与前景 太阳能产业的迅猛发展需要更多的硅料及生产设备来支撑。世界光伏产业中，多晶硅片太阳能电池占据主导地位，带动了多晶硅铸锭生长设备市场的发展。目前，全球太阳能电池的主流产品为硅基产品，占太阳能电池总量的85％以上。多晶硅太阳能电池占太阳能电池总量的56%。多晶硅太阳能电池由于产能高，单位能源消耗低，其成本低于单晶硅片，适应降低太阳能发电成本的发展趋势。多晶硅铸锭生长技术已逐渐发展成为一种主流的技术，由此也带动了多晶硅铸锭炉市场的发展。多晶铸锭炉是专为太阳能工业设计的专用设备，是生产多晶硅铸锭的必需设备。该设备能自动或手动完成铸锭过程，高效节能，且能运 用先进的计算机控制技术，实现稳定 定向凝固，生产的多晶硅硅锭质量高、 规格大。多晶硅铸锭炉作为一种硅重 熔的设备，重熔质量的好坏直接影响 硅片转换效率和硅片加工的成品率。 在国际多晶硅铸锭炉市场上，市 场份额占有率最高的为美国GT Solar 公司和德国A L D公司。G T S o l a r 公司市场主要面向亚洲，在亚洲的 市场销售额占其收入的60%；A L D 公司主要面向欧洲市场。其他多 晶铸锭设备的主要国际生产商还 有美国Crystallox Limited、挪威 Scanwafer和法国ECM。德国ALD 公司生产的多晶硅铸锭炉投料量为 400kg/炉;美国Crystallox Limited 公司为275kg/炉；挪威Scanwafer公 司生产的多晶硅铸锭炉可同时生产4 锭，投料量达到800～1000kg/炉，该 设备属于专利产品，暂时不对外销售； 法国ECM生产的多晶硅铸锭炉采用三 温区设计，提高了硅料的再利用率高。 国内的多晶硅铸锭炉市场在2007 年之前一直被美国GT Solar公司垄 断。2007年多晶硅的暴利催生了国内 无数多晶硅生产企业，而进口设备的 价格昂贵、售后服务没有保证，这些因 素促使国内一些民间私营企业开始研 发多晶硅铸锭炉技术。2007年，我国首 台多晶硅铸锭炉由浙江精功科技股份 有限公司研制成功并生产，多晶硅铸 锭炉迅速呈现出国产化的趋势，2009 年我国多晶硅铸锭炉保有量约800台。 目前，国内已有几家企业能够生产出 拥有自主知识产权的多晶硅铸锭炉， 如：北京京仪世纪电子股份有限公 司、上海汉虹精密机械有限公司、浙江 精功科技股份有限公司、北京京运通 科技股份有限公司、中国电子科技集 团公司第四十八研究所、精工机电研 究所有限公司等。随着国外垄断的打 破，多晶硅铸锭炉在国产化趋势扩大 的情况下价格将逐步降低，国内多晶 硅铸锭炉的市场潜力将会凸显出来。 目前，全球市场多晶硅铸锭炉每 年需求量约为1000台。伴随着太阳能 电池需求的不断增长，多晶硅铸锭炉 的需求量也将以较高的速度增长。 我国有关研究数据显示，根据全国 重点项目建设情况分析，2009-2010年， 我国总计有57 500t的新增多晶硅料 需要多晶硅铸锭炉进行加工，折合需 求450kg铸锭炉约为1227台。光大证 券分析师研究认为，2011年国内多晶 硅铸锭炉安装量将约达1000台。美国 市场调研机构iSuppli的研究报告中 预计，按保守估算，至2012年，全球多 晶硅铸锭炉的市场将达3000台；如果图2 2005-2009年全球太阳能电池产量与增长率 数据来源： 国际太阳能市场研究咨询公司Solarbuzz。 新材料产业NO.3 201129
附件1：JZ-460/660多晶铸锭炉技术参数 一、JZ-460/660型多晶铸锭炉介绍 JZ-460/660型多晶铸锭炉能生产520KG/660KG-800KG优质的多晶硅锭，本设备的生产量很大，能在60个小时的时间内生产出合格的硅锭。设备操作简单，直观的界面，给操作人员节省很多时间来处理设备的运行情况，从而极大的提高了生产效率，节约了成本。JZ-460/660型多晶铸锭炉使用高纯度的内涂氮化硅的石英坩埚，运行过程中，通过隔热层的提升，在热场内产生温度梯度，从而由下往上定向长晶，在整个长晶过程中只有隔热层一个部件在运动，大大减少了故障的发生，从而提高了炉子的稳定性能。 整个工艺过程分为装料，抽真空，检漏，加热，熔化，长晶，退火，冷却。装料是在喷有氮化硅涂层的石英坩埚内，在保证不破坏涂层的条件下，进行装料。装完料后开始抽真空，当压力降到0.008mbar时即可检漏，如果设备检漏通过，此时我们即可开始自动运行设备，按照配方工艺步骤运行。在晶体生长过程中，一般自坩埚底部开始降温，当硅熔体温度低于熔点时，在接近坩埚底部处首先凝固，形成许多细小的核心，然后横向生长，当核心相互接触时，再逐渐向上生长，长大，形成柱状晶，柱状方向与晶体方向平行，直至所有的硅熔体都结晶为止，这样制备出来的多晶硅的晶粒大小，晶界结构，缺陷类型都很相似。对于重量为520kg的铸造多晶硅而言，硅锭尺寸一般为840*840*316mm。目前JZ-460/660炉型已被著名硅片制造厂家批量采用，稳定生产出高质量的硅锭。 二、JZ-460/660型多晶铸锭炉使用需要的环境条件(户内) a)环境温度：20±5℃ b)环境湿度：≤ 65%（不结露） c)地质震动要求：外界震源：当大于10HZ时，振幅小于0～0.003mm
电磁炉电路图及工作原理全面解析 现在电磁炉已经用它的物美价廉特性慢慢打破了燃气灶不可替代的地位。知己知彼百战百胜，这里小编以电磁炉电路图和工作原理给大家做一个全面解析 一、什么是电磁炉 电磁炉(又名电磁灶)--是现代厨房革命的产物，是无需明火或传导式加热的无火煮食厨具，完全区别于传统所有的有火或无火传导加热厨具(炉具). 二、电磁炉工作原理 电磁炉作为厨具市场的一种新型灶具。它打破了传统的明火烹调方式采用磁场感应电流(又称为涡流)的加热原理，电磁炉是通过电子线路板组成部分产生交变磁场、当用含铁质锅具底部放置炉面时，锅具即切割交变磁力线而在锅具底部金属部分产生交变的电流(即涡流)，涡流使锅具铁分子高速无规则运动，分子互相碰撞、摩擦而产生热能(故：电磁炉煮食的热源来自于锅具底部而不是电磁炉本身发热传导给锅具，所以热效率要比所有炊具的效率均高出近1倍)使器具本身自行高速发热，用来加热和烹饪食物，从而达到煮食的目的。具有升温快、热效率高、无明火、无烟尘、无有害气体、对周围环境不产生热辐射、体积小巧、安全性好和外观美观等优点，能完成家庭的绝大多数烹饪任务。因此，在电磁炉较普及的一些国家里，人们誉之为'烹饪之神'和'绿色炉具'。 三、电磁炉的主要构成： 电磁炉主要有两大部分构成：电子线路部分及结构性包装部分。
①电子线路部分包括：功率板、主机板、灯板、线圈盘及热敏支架、风扇马达等。 ②结构性包装部分包括：瓷板、塑胶上下盖、风扇叶、风扇支架、电源线、说明书、功率贴纸、操作胶片、合格证、塑胶袋、防震泡沫、彩盒、条码、卡通箱。 四、电磁炉的特点 ● 小巧灵活的设计便于移动设备，功率的设计确保快速的出菜速度。 ● 大范围功率调节。 ● 耐600℃高温、抗冲击、高强度微晶下班。 ● 优质线圈和零部件。 ● 超高可靠性控制部件确保恶劣环境使用。 ● 先进的主板设计和软件控制技术。 ● 智能化模糊逻辑控制技术确保最佳烹饪效果。 ● 软启动技术延长设备使用寿命。 ● 多层保护：锅体自动检测和电热保护自动切断。 ● 电源，防止意外事故的发生。 ● 智能显示和自动报警装置。 ● 5段协率调节确保温度均匀和食品美味。 ● 数码显示有利于中餐食品标准化的推广。 ● 超静音有利于中餐食品标准化的推广。 ● 超静音设备改善厨房工作环境。 ● 全不锈钢结构设计。 五、与燃气、燃油炉具比较的优点 功能完善： 可替代完成传统炉具的煎、炒、煮、蒸、炖、扒、煲等各类烹调功能，特别适合燃料供应以及安全条件受限制的场合。 绿环保保： 无燃烧废气排放、不消耗氧气、无噪音、无污染、省能源。 操作简便： 一键式操作与数码显示简单明了，智能化电脑控制技术具备自动检测锅体、过热及空烧保护、过载保护功能。 安全可靠： 无明火燃烧、无废气排放、无燃烧泄漏，可避免人员及环境安全隐患、比传统的燃油、燃气炉具更安全并扩大了场地使用限制(例如地下室、高层建筑的顶楼厨房);并配置多重安全保护装置，
自然界物质存在的形态有气态物质、液态物质和固态物质。固态物质可根据它们 的质点(原子、离子和分子)排列规则的不同，分为晶体和非晶体两大类。具有确定的熔点的固态物质称为晶体，如硅、砷化镓、冰及一般金属等；没有确定的熔点、加热时在某一温度范围内就逐渐软化的固态物质称为非晶体，如玻璃、松香等。 所有晶体都是由原子、分子、离子或这些粒子集团在空间按一定规则排列而成的。这种对称的、有规则的排列，叫晶体的点阵或晶体格子，简称为晶格。最小的晶格，称为晶胞。晶胞的各向长度，称为品格常数。将晶格周期地重复排列起来，就构成为整个晶体。晶体又分为单晶体和多晶体。整块材料从头到尾都按同一规则作周期性排列的晶体，称为单晶体。整个晶体由多个同样成分、同样晶体结构的小晶体(即晶粒)组成的晶体，称为多晶体。在多晶体中，每个小晶体中的原子排列顺序的位向是不同的。非晶体没有上述特征，组成它们的质点的排列是无规则的，而是“短程有序、长程无序’’的排列，所以又称为无定形态。一般的硅棒是单晶硅，粗制硅(冶金硅)和利用蒸发或气相沉积制成的硅薄膜为多晶硅，也可以为无定形硅。 硅(S1)的原子序数为14，即它的原子核周围有14个电子。这些电子围绕着原子核按一层层的轨道分布，第一层2个，第二层8个，剩下的4个排在第三层，如图所示。另图为硅的晶胞结构。它可以看作是两个面心立方晶胞沿对角线方向上位移1／4互相套构而成。这种结构被称为金刚石式结构。硅(Si)锗(Ge)等重要半导体均为金刚石式结构。1个硅原子和4个相邻的硅原子由共价键联结，这 4个硅原子恰好在正四面体的4个顶角上，而四面体的中心是另一硅原子。 硅单晶的制备方法：按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)法与有坩埚直拉(CZ)法。区熔拉制的单晶不受坩埚污染，纯度较高，适于生产电阻率高于20欧/厘米的N型硅单晶（包括中子嬗变掺杂单晶）和高阻 P型硅单晶。由于含氧量低，区熔单晶机械强度较差。大量区熔单晶用于制造高压整流器、晶体闸流管、高压晶体管等器件。直接法易于获得大直径单晶，但纯度低于区熔单晶，适于生产20欧/厘米以下的硅单晶。由于含氧量高,直拉单晶机械强度较好。大量直拉单晶用于制造MOS集成电路、大功率晶体管等器件。外延片衬底单晶也用直拉法生产。硅单晶商品多制成抛光片，但对FZ单晶片与CZ单晶片须加以区别。外延片是在硅单晶片衬底（或尖晶石、蓝宝石等绝缘衬底）上外延生长硅单晶薄层而制成，大量用于制造双极型集成电路、高频晶体管、小功率晶体管等器件。
２0１４－2018年中国多晶硅铸锭炉产业发展现状及投资分析报告 完成日期:20１4年５月 第一章多晶硅铸锭炉行业概述 第一节多晶硅铸锭炉概述 一、多晶硅铸锭炉的定义 二、多晶硅铸锭炉的结构组成特点 三、多晶硅铸锭炉的作用 四、多晶硅铸锭炉技术特点 五、多晶硅铸锭炉主要技术指标 六、子多晶硅铸锭炉发展历程 第二节多晶硅铸锭炉配套系统 第三节多晶硅工艺技术 一、西门子反应炉及工艺参数分析 二、冷氢化热氢化工艺对比分析 三、铸锭拉晶工艺技术 四、铸锭炉及能耗分析 五、拉晶炉及工艺分析 第二章2013-2014年世界多晶硅铸锭炉行业运行现状分析 第一节２０13－2014年世界多晶硅铸锭炉行业发展现状分析 一、全球多晶硅铸锭炉市场需求分析 二、世界多晶硅铸锭炉应用情况分析 三、国外多晶硅铸锭炉产品结构分析 四、国际多晶硅铸锭炉行业发展面临的问题 五、国际多晶硅铸锭炉行业技术发展现状 第二节2013-201４年世界多晶硅铸锭炉行业发展分析 一、美国 二、日本 三、德国 四、韩国 第三节２014-20１8年世界多晶硅铸锭炉市场前景预测分析 第四节2014年世界多晶硅铸锭炉部分生产企业分析 一、德国的ALD公司 二、美国gｔsoｌar公司 三、美国GT公司 四、法国ＥCM公司 五、略…… 第三章20１3-2014年中国多晶硅铸锭炉行业发展环境分析 第一节２013-2014年中国宏观经济环境分析
一、中国GDP分析 二、中国工业发展形势分析 三、消费价格指数分析 四、城乡居民收入分析 五、社会消费品零售总额 六、全社会固定资产投资分析 七、进出口总额及增长率分析 第二节2013-20１4年中国多晶硅铸锭炉市场政策环境分析 一、近年来国家以及政府颁布的相关政策法规 二、相关政策法规对市场的影响程度 三、多晶硅铸锭炉市场国家宏观发展规划调控方向 第三节2013-2０14年中国多晶硅铸锭炉市场社会环境分析 第四节201３-2014年中国多晶硅铸锭炉行业技术环境分析 第四章20１3-２014年中国多晶硅铸锭炉行业发展现状分析第一节2013-2014年中国多晶硅铸锭炉行业发展分析 一、我国多晶硅铸锭炉行业发展现状分析 二、我国多晶硅铸锭炉行业市场特点分析 三、我国多晶硅铸锭炉行业技术发展状况 第二节我国多晶硅铸锭炉行业存在问题及发展限制 一、主要问题与发展受限 二、基本应对的策略 第三节2013-201４年中国多晶硅铸锭炉运行分析 一、多晶硅铸锭炉前景广阔 二、多晶硅铸锭炉热场研究及数值模拟 三、多晶硅定向生长铸锭炉生产 四、多晶硅铸锭炉生产工艺控制技术和设备组 五、为多晶硅铸锭炉国产化作出重大贡献 六、多晶硅铸锭炉设备国产化研制成功 七、多晶硅铸锭炉国产化是发展趋势 第四节2013-201４年中国多晶硅铸锭炉行业发展面临问题分析 第五章２013-2014年中国多晶硅铸锭炉行业市场分析 第一节20１３-2014年中国多晶硅铸锭炉市场规模分析 一、20０8-20１3年中国多晶硅铸锭炉行业市场规模及增速 二、中国多晶硅铸锭炉行业市场饱和度 三、国内外经济形势对多晶硅铸锭炉行业市场规模的影响 四、2014－2018年中国多晶硅铸锭炉行业市场规模及增速预测 第二节2013-2０1４年中国多晶硅铸锭炉市场结构分析 第三节2０13-2０１4年中国多晶硅铸锭炉市场特点分析 一、多晶硅铸锭炉行业所处生命周期 二、技术变革与行业革新对多晶硅铸锭炉行业的影响 三、中国多晶硅铸锭炉差异化分析 第四节2０1３－２0１４年中国多晶硅铸锭炉市场运行动态分析
电磁炉各单元电路原理详解 任何一种设备，只要理解、掌握了它的工作原理，那么使用、维修起来就会觉得比较容易。本章中作者主要对所收集的３０多种品牌的电磁炉的各种单元电路进行原理讲解、比较，找出它们之间的差异和相同之处，以帮助读者更好地理解电磁炉各功能电路的工作原理。通过本章所讲内容，读者不仅能够对电磁炉各功能电路有比较透彻的理解，同时也可以增强识图能力。 ３．１ 直流３００Ｖ整流电路（即主电源电路） 电磁炉的直流３００Ｖ整流电路是电磁炉整机功率输出电路，它与彩电等家用电器的一般开关电源中的直流电源部分电路形式相同，都是将交流２２０Ｖ通过桥式整流电路整流、滤波后获得的。但因电磁炉功率普遍较大，一般为１５００～２６００Ｗ，加之其工作频率较高，目前家用电磁炉工作频率一般为１５～３０ｋＨｚ，因此，该部分电路元器件参数存在较大差异，并且这部分电路元器件性能上的要求也比较高。同时，由于这部分电路是整机的功率输出电路，故电路元器件的焊点粗大，铜箔也比较宽大；为了增大铜箔的承载流量及利于散热，这部分电路的铜箔上一般均涂敷有大面积焊锡条，有的电磁炉还在铜箔上加焊多股导线，以提高承载电流量。 图３－１－１所示是九阳ＪＹＣ－２１电磁炉的主电源电路。２２０Ｖ市电经接插件接入电路，为了防止因电网故障、人为因素等造成电源电压异常升高而损坏电磁炉，在电磁炉主电路中一般均接有压敏电阻ＺＮＲ，把它作为电磁炉整机过压保护的第一道屏障。 图３－１－１九阳ＪＹＣ－２１主电源电路 在电磁炉中，压敏电阻常用的规格型号有１０Ｄ４７１Ｋ、１０Ｄ４３１、１０Ｄ５６１、ＴＶＲ１４４７１、１４Ｎ４７１Ｋ、１４Ｄ４７１、１４Ｄ３９１Ｋ等；压敏电阻的耐压一般为３９０～４７０Ｖ。一旦电网电压出现异常，达到压敏电阻的承压极限，压敏电阻立即会被击穿，将２２０Ｖ交流电源短路，保险丝快速熔断，切断电磁炉整机电源，从而达到保护其他元器件的目的，以避免损失进一步扩大。压敏电阻损坏时一般呈现碎裂状，用肉眼很容易看出。